サムスン電子は来月11日から16日まで京都で開催される半導体協会の「VLSIシンポジウム」に出席し、第2世代3nm(mn)(SF3)と第4世代4nm(SF3)プロセス仕様(SF4X)を公開する。初めて。 。 競合する台湾TSMCも次世代3ナノ、4ナノプロセスの量産を計画しており、直接競争が予想される。

VLSI プログラムの導入中にサムスン電子が以前に漏洩した情報によると、第 2 世代 3-nano (SF3) には、第 1 世代 3-nano (SF3E) と比較して改良されたオールアラウンド ゲート (GAA) プロセスが適用されています。 その結果、第 2 世代 3nm は、Samsung Electronics の以前の 4nm FinFET プロセスと比較して、22% 高速なパフォーマンス、34% 向上した電力効率、21% 小さいロジック領域を実現します。

サムスン電子は昨年6月に量産を開始した第1世代3ナノプロセスから初めてGAAプロセスを適用した。 一方、TSMCはFinFETプロセスを3nmで維持し、2025年には2nmからGAAプロセスを適用する計画だ。

さらにサムスン電子は、第2世代3ナノプロセスの重要な特徴として、新しいMBCFET(マルチブリッジチャネル電界効果トランジスタ)プロセスが適用されていることを指摘した。 MBCFETは、4つの側面をチャネルとして使用する構造変更によりエネルギー効率を向上できる技術です。

主要メディアやIT業界によると、サムスン電子の第2世代3ナノ（SF3）プロセスは、Exynos 2500やクアルコムの第4世代Snapdragon 8などのモバイルアプリケーション（AP）プロセッサを生産すると予想されている。

サムスン電子の第 4 世代 4 ナノ (SF4X) プロセスは、第 2 世代 4 ナノ (SF4) プロセスと比較して、パフォーマンスが 10%、エネルギー効率が 23% 向上しました。 SF4X は、ハイエンド コンピューティング (HPC) 用に特別に開発されたプロセスであるという点で注目に値します。

サムスン電子の最新プロセスは来年TSMCと競合するとみられる。 サムスン電子は来年から第3世代2ナノプロセスの量産を計画しているが、TSMCも来年には第2世代3ナノプロセス（N3E）の量産を計画している。 さらに、サムスン電子の4ナノ第4世代（SF4X）は、2024年と2025年に発売されるTSMCの4ナノ第2世代（N4P）および4ナノ第3世代（N4X）プロセスと競合すると予想されている。

一方、TSMCは4ナノメートル以下の先端プロセスでサムスン電子を上回ったと評価されている。 TSMC は、Apple、Nvidia、AMD などの主要顧客を確保したおかげです。 しかし、サムスン電子は第２世代４ナノプロセスで４ナノプロセスの歩留まりを向上させながら、従来よりも安定的に顧客を確保できると期待されている。 サムスン電子は、顧客が4ナノプロセスで試作品を製造できるよう支援するため、昨年4月以来初めてマルチプロジェクトウェーハ（MPW）サービスを開始した。

KB証券のキム・ドンウォン研究員は先月の報告書で、「サムスン電子のファウンドリ部門の4ナノ歩留まりは75％と推定され、前年に比べて大幅な改善が見られる」と述べた。 大幅に削減されるだろう」と彼は予測した。

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コンピュータ専門ニュース局サムモービルは、「全体として、サムスンの第1世代チップ製造プロセスは広く使用されておらず、その後の世代はさまざまなチップ企業によって使用されている」と述べた。 」と宣言した。

一方、サムスン電子は来月のVLSIシンポジウムに参加した後、6月27日と28日の2日間、シリコンバレー（サンノゼ）で「サムスンファウンドリーフォーラム（SFF）」と「SAFE（サムスンアドバンストファウンドリーエコシステム）フォーラム」を開催した。 。 7月4日にはソウルで「SFF&SAFEフォーラム」が開催され、日本（東京）、ドイツ（ミュンヘン）、中国も今年の日程を見直している。