SKハイニックスの施設への投資は再び加速しており、今年だけで13兆ウォンに達し、HBMにおけるクァク・ノジョン氏のリーダーシップが強固になった。

[비즈니스포스트] 高帯域幅メモリ(HBM)市場のリーダーであるSK Hynixは、一時的な休止期間を経て、設備投資(CAPEX)を再び加速すると予想されている。

SKハイニックスのクァク・ノジョン最高経営責任者(CEO)は、清州MX15Xクラスターと龍仁クラスターに加え、米国インディアナ州にも半導体生産拠点を設立し、日本でのHBM生産工場設立への投資も検討すると発表した。

 

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▲SKハイニックスのクァク・ノジョン代表は、高帯域幅メモリ(HBM)不足に対応し、2024年から再び設備投資を増やすと予想している。



同社は今年の設備投資を昨年より50%以上増やして13兆ウォン以上に増やし、来年も設備投資を増やす見通しだ。

28日の半導体業界報道によると、人工知能(AI)の流行でHBMの需要が急拡大しているため、SKハイニックスは今年、設備投資を予想以上に増やすと分析された。

同社は昨年、半導体業界の経営悪化と損失の継続を受けて、設備投資を大幅に削減した。 2023年の設備投資額は約83億2,510万ウォンで、2022年の191億3,000万ウォンに比べて半分以下に減少した。

当初、今年の設備投資は10兆ウォン程度にとどまると予想されていたが、HBMからの注文が殺到し、急遽生産設備を拡張せざるを得なくなった。

米国のHBMの競合企業であるマイクロンは依然としてHBMの生産量が少なく、サムスン電子も第5世代HBMであるHBM3EのNVIDIAへの供給を確認するのが遅れている。 実際、NVIDIA の HBM 注文のほとんどは SK Hynix によって処理されます。

クァク社長は2日の記者会見で、「今年のHBMはすでに完売し、来年の生産分もほぼ完売した。 »

さらに専門家らは、HBMはウェーハサイズが通常のDRAMの2倍であり、製造工程数が重要なため、DRAMと同じ生産量を保証するには2倍の生産能力が必要だと説明している。 このため、設備投資はこれまで以上に増加すると予想されます。

 

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▲SKグループのチェ・テウォン会長(左)がSKハイニックス利川研究開発のSKハイニックスCEOクァク・ノジョン(中央)とSKハイニックスP&Tマネージャーのチェ・ウジンに高帯域幅メモリ(HBM)ウェーハとパッケージに関する情報を伝えたキャンパス。 2024年1月4日センター。説明を聞く。

同社は総額20兆ウォンを投資して忠清北道清州市にM15X新工場を建設しており、来年から同地でHBMを生産したいと考えている。

また、今年3月には38億7000万ドル(約5兆2000億ウォン)を投資して米国アリゾナ州にHBMパッケージング工場を新設する計画を発表した。

世界的信用格付け会社スタンダード・アンド・プアーズ(S&P)は、今年のSKハイニックスの設備投資額が昨年より約60%増加する14兆~15兆ウォンに達すると予想した。

日本にHBM工場を建設することも検討しています。 有望な工場候補地は、HBMの技術パートナーであるTSMCのファウンドリー(委託生産)工場がある日本の熊本県近郊である。

SKグループのチェ・テウォン会長は23日、日本経済新聞とのインタビューで「(HBMを)日本や米国など他国でも製造できるか検討を続けている」と述べた。 »

しかし、米国や日本に工場を設立することには、パートナーや主要顧客とのコミュニケーションが容易になるというメリットがあるとはいえ、投資コストの面で負担が増大する可能性があるとの指摘もある。

設備投資のための資金を調達することは難しくないようです。

同社は昨年第4四半期に黒字化に成功し、今年第1四半期には営業利益28億8600万ウォンを達成し、ピークだった2018年第1四半期に次ぐ2番目の高い業績を達成した。ブーム。 期間。 その結果、今年第1四半期の負債比率は85.92%となり、前四半期の87.52%から若干低下した。

今年の全体営業利益も2018年(20兆8,438億ウォン)を上回り、過去最高となる見通しだ。 営業キャッシュフローから設備投資を差し引いた営業フリーキャッシュフロー(FCF)も13兆ウォンを超える見通しだ。

ユアンタ証券のペク・ギルヒョン研究員は、「SKハイニックスはAI用半導体メモリーの世界的な需要の増加に応じて建設を加速するだろう」とし、「DRAM転換投資に加え、半導体メモリーへの投資も加速するだろう」と付け加えた。先進的なプロセスに重点を置いたメモリ施設は、2025年から2026年にかけて本格的に再開されるだろう」と同氏は予測した。 ナ・ビョンヒョン記者

Wakabayashi Ken

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