特に世界のメモリ半導体市場の王座を占めたサムスン電子がファウンドリ分野でTSMCを追い越せるかどうかに注目が集まる。

米国に工場を建設し、国内での研究開発を強化

業界によると、サムスン電子は２０日、３００億円（約３０００億ウォン）を投資して横浜に半導体試験ラインを建設する計画だ。

「DSRJ（デバイスソリューションリサーチジャパン）」の名称で国内に点在するR＆D（研究開発）拠点を統合し、半導体分野の研究開発への投資を本格化させるものと解釈される。

特に、半導体パッケージング（後工程）拠点を夢見る日本が「材料・部品・装置」に強みを持ち、サムスン電子が技術力や生産性で競争力がある限り、相乗効果が期待される。

競合するTSMCも熊本県に1兆1000億円（約11兆ウォン）を投資してファブ（半導体工場）を建設しており、第2工場の設立も計画している。 また、３７０億円（約３６６５億ウォン）を投じて、茨城県に半導体パッケージング研究開発センターを建設した。

日本は国営半導体企業ラピダスに3,300億円（約3兆2,700億ウォン）の補助金を支払っただけでなく、TSMCにも製造投資の半分と研究開発センタープロジェクトの費用の半分である4,760億円（約4兆7,000億ウォン）を支払った19。 。 10億円（約1,880億ウォン）が提供された。

サムスン電子はこの投資に対して日本政府から100億円（約1000億ウォン）の補助金も受け取る予定だ。

サムスン電子とTSMCは米国に大規模な工場を建設している。 サムスン電子はテキサス州テイラーに170億ドル（約22兆7,500億ウォン）を投資し、TSMCは400億ドル（約53兆5,400億ウォン）相当の工場を建設している。

3ナノ、2ナノに続く…技術競争

サムスン電子とTSMCは、先進プロセスである3nm技術（ナノメートル1nmは10億分の1メートルに相当）のファウンドリ市場で競争している。

まずTSMCは、3nmプロセスの歩留まり（不良品率）が80％であると発表した。 一方、サムスン電子の3nmプロセスの歩留まりは60～70％であることが知られており、安定した水準に達していると評価されている。

サムスン電子のキョンギヒョンDS（半導体）本部長（社長）も4日、大田（テジョン）のKAISTで開かれた会見で、「正直に言うと、サムスン電子のファウンドリ技術はTSMCより1～2年遅れている」と述べた。

サムスン電子とTSMCは2nm市場の占有を目指して本格的な競争を開始した。 両社は2025年までに2nm半導体の量産を目指している。

キョン会長は「2nmプロセスが施行された瞬間からサムスン電子がリードできる」と述べ、5年以内にTSMCを追い抜くと自信を見せた。

TSMCも自信を表明した。 11日に開催された「台湾テクノロジーフォーラム2023」で、事業開発担当上級副社長の張暁昌氏は「われわれは最先端の3nm技術を持っており、2nmでは世界をリードする」と述べた。

TrendForceの市場調査によると、昨年第4四半期のサムスン電子の世界ファウンドリー市場シェアは15.8％で、TSMC（58.5％）に圧倒的な差をつけて2位となった。